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富士電機株式會社（總部位于日本東京，總裁北澤通宏）很高興宣布在其分立IGBT*1 XS系列產品線中增加了額定電壓為1200 V的產品，可提供行業前沿的低損耗。

*1：絕緣柵雙極型晶體管

1.背景

隨著世界離實現低碳化社會越來越近，人們對在社會和工業基礎設施中進一步節能充滿期待。功率半導體器件是在例如不間斷電源（UPS）、功率調節系統（PCS）和電動汽車（EV）充電器等電力電子設備*2中進行功率轉換和功率控制的關鍵設備。UPS對于因數字革命而不斷擴大投資的數據中心的穩定運行必不可少，而PCS對于可再生能源發電設施必不可少，EV充電器則支持EV充電基礎設施。功率半導體器件的作用是在電路中以重復的短時間增量進行開關（打開和關閉電源），以控制電壓，并在直流和交流之間進行切換。 
富士電機的分立IGBT XS系列可降低開關過程中的功率損耗（開關損耗）和電流在電路中流動時的功率損耗（穩態損耗），有助于節省其配備產品的功率。除了現有的額定電壓為650V的產品外，本公司已經開始出售一種新型的額定功率為1200V的產品，以適應各種容量波段的設備，包括幾十kVA的UPS。他們希望擴容的產品線將有助于客戶設備的設計。預計到2023年，配備這些產品的工業設備的市場將從目前的600億日元增長到700億日元*3，并將在全球范圍內擴容，尤其是在需求旺盛的中國和中國臺灣。

*2：轉換和控制電力的設備

*3：通過FE估計

分立IGBT XS系列

3.產品特征

同時降低穩態損耗和開關損耗

該XS系列產品配備了富士電機最新的第7代IGBT，擁有該行業內的一些較好的低損耗性能。通過優化芯片結構和減少Si（硅）襯底厚度，改善了穩態損耗和開關損耗之間的權衡。與公司的常規產品相比，穩態損耗和開關損耗分別降低了約20%和6%。 

4. 產品規格